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英飛凌650 V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

類別:新品快報  出處:網絡整理  發布于:2020-02-26 10:49:52 | 1284 次閱讀

  英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出650V器件。其全新發布的CoolSiC MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

  “隨著新產品的發布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場事業部高壓轉換業務高級總監Steffen Metzger表示,“這凸顯了我們在市場中的獨特地位:英飛凌是市場上唯一一家能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產品的制造商。而全新CoolSiC系列是我們矢志成為工業SiC MOSFET開關領域頭號供應商的有力支持。”

  650 V CoolSiC MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,既可采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開關損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發布的所有CoolSiC MOSFET產品相比,全新650V系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術。通過最大限度地發揮碳化硅強大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關損耗和導通損耗。此外,它們還具備最高的跨導水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩健性。總而言之,溝槽技術可以在毫不折衷的情況下,在應用中實現最低的損耗,并在運行中實現最佳可靠性。

  與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比,650 V CoolSiC MOSFET能夠帶來更加吸引人的優勢:更高開關頻率下更優的開關效率以及出色的可靠性。得益于與溫度相關的超低導通電阻(RDS(on)),這些器件具備出色的熱性能。此外,它們還采用了堅固耐用的體二極管,有非常低的反向恢復電荷:比最佳的超結CoolMOS MOSFET低80%左右。其換向堅固性,更是輕松實現了98%的整體系統效率,如通過連續導通模式圖騰柱功率因素校正(PFC)。

  為了簡化采用650 V CoolSiC MOSFET的應用設計,確保器件高效運行,英飛凌還提供了專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER柵極驅動器IC。這個解決方案(整合了CoolSiC開關和專用的柵極驅動器IC)有助于降低系統成本和總擁有成本,以及提高能效。CoolSiC MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER柵極驅動器系列IC無縫協作。


關鍵詞:英飛凌

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